공 정s

제품명

적   용

특    성

건   욕

공정 조건

액 수명

Swelling

Sweller

SW 300

Epoxy 수지의 swelling

•유기용제에 의한 에폭시 수지의 연화 상태가 뛰어남..

SW 300: 30~40 %V

순수: To balance

CCL 재료의 종류에 따라 다름.

 30M²B/L

Smear etching

Desmear 

PME 610

수지 에칭

•에칭량이 일정하고

 동과의 접착력이 최대가 되도록 작용

순 수: 95 %V

 PME 610 A: 60 g/L

PME 610 B: 100 g/L

온도.: 65-80℃

시간: 5-10min

%불용성분 30 % 이하

중 화

Neutralizer

NEU 1015

불용성의MnO₂  제거

•내층 동박 손상없이 불순물 제거 효과 우수

NEU 1015: 5 %V

H2SO4 : 3%V

H₂O₂: 1.5 %V

순수: To balance

온도: 25~35 ℃

시간: 4-6min

Cu: 20g/L

Area: 15 M^² B/L

공 정

제품명

건욕

보 충/ M²B

액 관 리

액수명

(per L)

분석 주기

관리 부분

범위

조건

Cleaner- conditioner

PC 6000

순수: 93%V

PC 580C: 7%V

12 ml

농도

Cu 농도

5~9 %V

< 1g/L

온도.: 40-50℃

시간: 3-5min

10M²B/L

1 / shift

1 / day

Micro etching

SE 310

D.I water : To balance

H₂SO₄ : 80ml/L

SE 310 : 20ml/L

H₂O₂ : 30ml/L

분석 보충

Cu 농도

<30 g/L

온도: 25-35℃

시간: 1-2min

6M²B/L

1 / shift

Pre-dip

PT 100

순수: To balance

PT 100: 1.0 %V

1.0 ml

PH

Cu 농도

8.0-9.0

<1 g/L

온도.: 27-33℃

시간: 1-1.5min

10 M²B/L

1 / shift

1 / 2 days

Palladium catalyst

PCA 200

PH Corrector

순수: To balance

CAT 300 : 3.0 %V

Corrector: pH

3 ml

PH

Pd 농도

Cu 농도

9.5~10.5

80~120 ppm

 <100 ppm

온도 : 40-50℃

시간: 3-5min

200M²B/L

1 / shift

1 / shift

1 / shift

Palladium reductant

DM 300

 순수:  To balance

DM 300:  0.5 %V

 H₃BO₃: 5 g

3 ml

농도

PH

2~4 ml/L

8.0~9.0

온도 : 20-30℃

시간: 3-5min

15 M²B/L

1 / shift

1 / 2days

Electroless copper

Thin copper

ITP 430M       430A

430B

D.I Water  : 76 ℓ

 ITP 430 M : 12ℓ

ITP 430 A : 6 ℓ

  ITP 430B : 2.2 ℓ

A: 167 ml

B: 150 ml

Cu

NaOH

HCHO

1.8~2.4 g/L

8~12g/L

4-8 g/L

온도 :25-30℃

시간: 15-20min

10 M²B/L

1 / shift

공 정

제품명

기 능

특 성

건 욕

작업 조건

액수명

Alkaline cleaning

표면 개질제

AP 1100

1.약한 산화물과 오염물 제거.

2.폴리 이미드 표면의 개질

•폴리이미드 및 BT 레진 기판의 표면조정 능력 우수

AP 1100: 250~500 ml/L

순수: To balance

온도.: 40~50 ℃

시간: 1-3min

1wk

Cleaning/ Conditioning

Cleaner/ Conditioner

PC 701

1.기판 상의 산화물 및 오염물제거

2.기판과 홀 내벽의 젖음성증대.

3.팔라듐의 흡착력을 증대시키기 위한 전위 조정

• 팔라듐 흡착이 균일함.

• 홀 내벽 신뢰성이 증대 됨.

PC 701A :  70ml/L

PC 701 B : 60 ml/L

순수: To balance

온도.: 50-60℃

시간: 3-7min

Cu 농도 : 1 g/l

제 품 명

적  용

특 성

건 욕

공정 조건

동도금

IT 101

2 액형의 PCB 용

산성 동도금 광택제

•균일 전착성

•고전류 밀도 작업 가능

•균일한 광택도

•연성 우수

CuSO₄: 75(67.5~90) g/L

H₂SO₄ (98%): 10(95~105) %V

Cl^-: 60(50~80) ppm

IT 101 C : 10 ml/L

IT 101 A  : 3 ml/L

온도.: 24(18~30)℃

음극전류밀도: 1~4 A/d㎡

동도금

RPP 2000

2 액형의

Reverse Pulse 도금 첨가제

•균일한 광택도

•연성 우수

•우수한 균일 전착성

CuSO₄: 75(67.5~90) g/L

H₂SO₄ (98%): 10(95~105) %V

Cl^-: 60(50~80) ppm

RPP 2000 C : 30 ml/L

RPP 2000 B  : 5 ml/L

음극전류밀도

Forward: 1~6   A/d㎡

Reverse : 2~12 A/d㎡

석도금

TP 400 S

무광 전해석 도금 첨가제

(에칭 레지스트용 및 Bump 도금용 )

• 우수한 균일 전착성

• 고전류밀도 작업 가능

•D/F 및 LPR에 손상을 주지 않음

•안정성 우수

•공정 관리 용이

SnSO₄: 40 g/L

H₂SO₄: 100 g/L

TP 400S: 40ml/L

온도.: 20~40 ℃

음극전류밀도 : 0.1 ~ 5.0 A/d㎡

석도금

MSn 4000

MSA-Tin: 70(50~90) ml/L

MSA: 160 ml/L

MSn 4000 : 40(20~60) ml/L

온도.: 20~40 ℃

음극전류밀도 : 0.1 ~ 5.0 A/d㎡

광택 석도

BT 300

광택전해석도금 첨가제

(Special for soldering)

•고전류 밀도 작업 가능

•균일한 광택도

•안정성 우수

•작업성 용이

•납땜성 우수

MSA-Tin: 70 ml/L

MSA :  160 ml/L

BT 300C: 40(30~50) ml/L

BT 300B: 15(10~20) ml/L

온도 :  20~30 ℃

음극전류밀도 : 1 ~ 2  A/dm²

제품명

적용

특 성

건 욕

작업 조건

비 고

산탈지

AC 2000

동표면의 오염물 제거 및 활성화 Spray 및 Dipping용

• 저기포성

AC 2000  : 10.0 %V

순수: To balance

온도.: 40-50℃

시간: 1-3 min

Palladium 촉매

PDC 1050

니켈 착생이 용이하도록 동표면에 Pd 흡착

 •유산 팔라듐 사용

H2SO4(98%):  4.5 %V

PDC 1050: 40 ml/L

순수: To balance

온도.: R.T.

시간: 1 ~ 2min

제품

Pd 1000±30 ppm

무전해 니켈

TCN 105

미세회로 연성 및 일반 PCB

도금용

•저응력의반광택 도금층

•Ni-P 합금 (P: 6~8%)

•높은 액 안정성

105 M : 150 ml/L

105 A : 45 ml/L

105D : 4 ml/L

순수 : To balance

온도 : 82℃

시간: 15∼25min

도금 속도:12㎛/hr

105 M: 건욕제

105 A: 건욕 및

 보충제

105 B보충제

105 C: 보충제

105D : 건욕 및

 보충제

무전해 니켈

TSX 205

일반 PCB

일반 부품용

•저응력의반광택 도금층

•Ni-P 합금 (P: 7~9%)

•높은 액 안정성

205 M : 100 ml/L

205 A : 55 ml/L

순수: To balance

온도 : 82℃

시간: 15∼25min

도금 속도:12㎛/hr

205 M: 건욕제

205 A: 건욕 및

 보충제

205 B:보충제

205 C: 보충제

고연성

무전해니켈

TCN 305

FPCB

•내크랙성의반광택 도금층

•Ni-P 합금 (P: 7~9%)

•높은 액 안정성

305 M : 200 ml/L

305 H : 60 ml/L

순수: To balance

온도 : 82℃

시간: 15∼25min

도금 속도:12㎛/hr

305 M: 건욕제

305 A:  보충제

305 B보충제

305 C: 보충제

305H : 건욕 및보충제

 보충제

침적식 금도금

TMG-503

PCB SMT 용.

•니켈 부식 억제

•납땜 신뢰성 증대

TMG-503:50(45~55) ml/L

Au: 1(0.8~1.2) g/L

온도 : 85(80~89)℃

PH: 5.5  (5.0~6.0)

도금 두께.: 1~4µ”

화학니켈

IT 155

ABS 및 플라스틱

화학 도금용

• 높은 액 안정성

•Coverage 우수

•밀착성 우수

155M : 100 ml/L

155 A : 50 ml/L

155B : 50 ml/L

순수: To balance

온도 : 32℃

시간: 5min

155M: 건욕제

155 A: 건욕 및 보충제

155 B: 건욕 및 보충제

제품명

적용

특 성

건 욕

작업 조건

비 고

산탈지

AC 2000S

동표면의 오염물 제거 및 활성화

• 저기포 성

AC 2000 S : 10.0 %V

순수 : To balance

온도: 40-50℃

시간: 1-3 min

Spray Cleaner

소프트 에칭

SE 310

밝은 동표면 형성

은과 동표면과의 밀착력 증대

•안정된 에칭 속도

•균일하고 밝은 동표면

SE 310: 5 %V

H₂SO₄: 4 %V

H₂O₂  : 4 %V

순수: To balance

온도.: R.T.

시간: 10-30S

Micro-etching depth: 1.0µm

Pre-dip

은도금액의 오염을 방지하기 위한 예비 침적

•도금용액의 산도 유지

•도금용액의 오염 방지

•양금속 간의 밀착력 증대

RSP 901 M : 10 V%

HNO3 : 1.0 V%

순수: To balance

온도 : 30~50℃

시간: 20~60 S

60 % HNO3

Immersion Silver

RSP 901

납땜성이 뛰어난 은도금층 형성.

•밝은 은색의 도금층

•Under cut attack이 극히 낮음.

•균일한 도금층

RSP 901 M : 10 V%

HNO3 : 2.0 V%

RSP 901 A : 5 V%

순수: To balance

온도.: 45 ~ 55℃

시간: 30~60 S

도금 두께: 0.2~0.4µm

변색 방지제

SILSTAN 25 G

은도금층의 변색을 방지

•뛰어난 변색방지 효과

•습기 차단효과 탁월

•납땜성에 영향을 주지 않음

SILSTAN 25G: 15%V

온도: 50~55 ℃

시간: 10 ~ 60 S

제품명

적용

특 성

건 욕

작업 조건

산탈지제

AC 2000D

동표면의 오염물 제거 및

활성화

• 저기포 성

AC 2000 D : 10.0 %V

순수 : To balance

온도: 40-50℃

시간: 1-3 min

산세                               HIPERTIN AD

동표면 활성도 유지

석도금 용액의 산도 유지

•균일한 색상의 도금을

 가능하게 함.

HIPERTIN AD : 25.0%V

순수: To balance

온도: R.T.

시간: 1-2min

HIPERTIN

980

예비석도금(1st)

균일한 예비도금

(0.02-0.05um)

•도금용액 균형 유지

HIPERTIN 980: 100 %V

온도 : R.T.

시간: 1min

석도금(2nd)

Immersion tin

(0.6-1.5um)

•밝은 흰색의 석도금층

•SM에 대한 공격성 적음.

•납땜성 우수함.

•도금 구조가 치밀하고 변색이 없음.

HIPERTIN 980: 100 %V

온도.: 55-65℃

시간: 5-15min

도금속도: 0.1um/min

Protin 25

COF용

밝은 Silver Matte

Protin 250M : 100%V

온도.: 64℃

시간: 4min

도금속도: 0.2um/min