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 3. Etching

제품명

적     용

   

건     욕

작업 조건

에칭량

SE 320

표면 전처리제

(OSP,  화학은도금, 무전해동  )

유산과 과산화수소 에칭제로

동의 표면에 적당한 조도를

형성

SE 584 S: 5 %V

H2SO4: 8 %V

H2O2: 4 %V

D.I water: To balance

온도 : R.T.

시간: 10-30S

0.7-1.5 um/min

SE 310

Dry film, S/M, 무전해동 전처리제로 적당

유산과 과산화수소 에칭제로

동의 표면에 적당한 조도를

형성

SE 310 : 2-3 %V

H2SO4 (95%): 5-10 %V

H2O2 (35%): 3-8 %V

D.I water: To balance

온도 : R.T.

시간: 10-30S

0.7-1.5 um/min

고속  에칭제

RC 210

CCL의 동박 두께를 균일하게 낮추기 위한 고속 에칭제

고속 에칭

안정성이 우수함.

H2SO4 (95%): 10 %V

H2O2 (35%): 11 %V

RC 210: 7-10 %V

온도 : 30

시간: 30-60S

2.0-4.0 um/min

Flash etching

FE 510

Flipchip 기판과 같은 좁고 얇은 회로 에칭에 적당

안정성이 뛰어나고 에칭량이 적음

H2SO4 (95%) : 5 %V

H2O2 (35%): 5 %V

FE 510 : 5 %V

온도 : R.T.

시간: 20-60S

0.2-0.6um/min

 

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